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산업재산권명칭 플렉서블 질화갈륨 발광다이오드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 질화갈륨 발광다이오드
단계 1단계 2차년도
등록기관 한국과학기술원 발명자 이건재
등록국가 KR 등록일자 2012-12-05
연구과제 초저전력 전자 융합 소자 및 응용시스템
등록번호 10-1211322
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